Приказ ГТК РФ от 24 декабря 2001 г. N 1226 "О внесении изменений в отдельные нормативные и иные правовые акты ГТК России" (с изм. и доп. от 14 февраля 2002 г., 20 января 2003 г., 16 января, 19 марта, 8 сентября 2004 г., 28 января, 7 ноября, 16 декабря 2005 г.)
По состоянию на 25 сентября 2006 года
Страница 4
Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 | Стр.26 | Стр.27 | Стр.28 | Стр.29 | Стр.30 | Стр.31 | Стр.32 | Стр.33 | Стр.34 | Стр.35 | Стр.36 | Стр.37 | Стр.38 | Стр.39 | Стр.40 | Стр.41 | Стр.42 | Стр.43
окружающей среды от 218 К (-55°С) до 398 К (+125°С)
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.2 не распространяется на интегральные схемы, применяемые для гражданских автомобилей и железнодорожных поездов;
3.1.1.1.3. Микропроцессорные микросхемы, микрокомпьютерные микросхемы и микросхемы микроконтроллеров, имеющие любую из следующих характеристик:
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры
3.1.1.1.3.1. Совокупную теоретическую производительность 8542 21 45;
(СТП) 3500 млн. теоретических операций в секунду (Мтопс) 8542 21 500 0;
или более и арифметико-логическое устройство с длиной 8542 21 83;
выборки 32 бита или более; 8542 21 850 0;
8542 60 000
3.1.1.1.3.2. Изготовленные на полупроводниковых 8542 21 45;
соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 8542 21 500 0;
40 МГц; или 8542 21 83;
8542 21 850 0;
8542 60 000
3.1.1.1.3.3. Более чем одну шину данных или команд, или 8542 21 45;
порт последовательной связи для внешнего межсоединения в 8542 21 500 0;
параллельный процессор со скоростью передачи, превышающей 8542 21 83;
2,5 Мбит/с 8542 21 850 0;
8542 60 000
3.1.1.1.4. Интегральные схемы памяти, изготовленные на 8542 21 45;
полупроводниковых соединениях; 8542 21 500 0;
8542 21 83;
8542 21 850 0;
8542 60 000
3.1.1.1.5. Интегральные схемы для аналого-цифровых и 8542 29 600 0;
цифро-аналоговых преобразователей, такие, как: 8542 29 900 9;
8542 60 000 9
а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из
следующих характеристик:
1) разрешающую способность 8 бит или более, но меньше 12
бит с общим временем преобразования менее 10 нс;
2) разрешающую способность 12 бит с общим временем
преобразования менее 200 нс; или
3) разрешающую способность более 12 бит с общим временем
преобразования менее 2 мкс;
б) цифро-аналоговые преобразователи с разрешающей
способностью 12 бит и более и временем выхода на
установившийся режим менее 10 нс;
Технические примечания:
1. Разрешающая способность n битов соответствует 2(n) уровням квантования
2. Общее время преобразования является обратной величиной разрешающей способности
3.1.1.1.6. Электронно-оптические и оптические 8542 интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие: а) один внутренний лазерный диод или более; и б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и в) оптические волноводы; 3.1.1.1.7. Программируемые пользователем логические 8542 21 690 0; устройства, имеющие любую из следующих характеристик: 8542 21 990 0 а) эквивалентное количество годных вентилей более 30000 (в пересчете на двухвходовые); или б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,4 нс; в) частоту переключения, превышающую 133 МГц
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.7 включает:
простые программируемые логические устройства (ППЛУ);
сложные программируемые логические устройства (СПЛУ);
программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ);
программируемые пользователем логические матрицы(ППЛМ);
программируемые пользователем межсоединения (ППМС)
Особое примечание.
Программируемые пользователем логические устройства также известны как программируемые пользователем вентильные или программируемые пользователем логические матрицы
3.1.1.1.8. Исключен; 3.1.1.1.9. Интегральные схемы для нейронных сетей; 8542 3.1.1.1.10. Заказные интегральные схемы, у которых 8542 21 690 0; функция неизвестна либо производителю неизвестно, 8542 21 990 0; распространяется ли контрольный статус на аппаратуру, в 8542 29; которой будут использоваться данные интегральные схемы, 8542 60 000 имеющие любую из следующих характеристик: а) свыше 208 выводов; б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,35 нс; или в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц; 3.1.1.1.11. Цифровые интегральные схемы, отличающиеся от 8542 указанных в пунктах 3.1.1.1.3-3.1.1.1.10 и 3.1.1.1.12, созданные на основе какого-либо полупроводникового соединения и имеющие любую из следующих характеристик: а) эквивалентное количество годных вентилей более 3000 (в пересчете на двухвходовые); или б) частоту переключения, превышающую 1,2 ГГц; 3.1.1.1.12. Процессоры быстрого преобразования Фурье, 8542 21 45; имеющие любую из следующих характеристик: 8542 21 500 0; а) расчетное время выполнения комплексного 1024-точечного быстрого преобразования Фурье менее 1 мс; б) расчетное время выполнения комплексного N-точечного 8542 21 83; сложного быстрого преобразования Фурье, отличного от 8542 21 850 0; 1024-точечного, менее, чем N log_2 N /10240 мс, где N - число точек; или в) производительность алгоритма "бабочка" более 5,12 МГц 8542 60 000 3.1.1.2. Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона, такие, как: 3.1.1.2.1. Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды:
Примечание.
По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, разработанные или спроектированные для работы в стандартном диапазоне частот, установленном Международным союзом электросвязи, с частотами, не превышающими 31 ГГц
3.1.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного или 8540 79 000 0 непрерывного действия, такие, как: а) работающие на частотах, превышающих 31 ГГц; б) имеющие элемент подогрева катода со временем от включения до выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с; в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с мгновенной шириной полосы частот более 7% или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт; г) спиральные лампы или модификации, имеющие любую из следующих характеристик: 1) мгновенную ширину полосы более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5; 2) мгновенную ширину полосы в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или 3) годные для применения в космосе; 3.1.1.2.1.2. Лампы-усилители магнетронного типа с 8540 71 000 0 коэффициентом усиления более 17 дБ; 3.1.1.2.1.3. Импрегнированные катоды, разработанные для 8540 99 000 0 электронных ламп, имеющих плотность тока при непрерывной эмиссии и штатных условиях функционирования, превышающую 5 А/кв.см 3.1.1.2.2. Микроволновые интегральные схемы или модули, 8542 29; а) содержащие твердотельные интегральные схемы; и 8542 60 000; б) работающие на частотах выше 3 ГГц 8542 70 000 0
Примечание.
По пункту 3.1.1.2.2 не контролируются схемы или модули оборудования, спроектированного для работы в стандартном диапазоне частот, установленном Международным союзом электросвязи, не превышающем 31 ГГц;
3.1.1.2.3. Микроволновые транзисторы, предназначенные для 8541 21 000 0; работы на частотах, превышающих 31 ГГц; 8541 29 000 0 3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные усилители, имеющие 8543 89 950 0 любую из следующих характеристик: а) работающие на частотах свыше 10,5 ГГц и имеющие мгновенную ширину полосы частот более пол-октавы; б) работающие на частотах свыше 31 ГГц; 3.1.1.2.5. Фильтры с электронной или магнитной 8543 89 950 0 настройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5:1 (fmax/fmin) менее чем за 10 мкс, имеющие любую из следующих составляющих: а) полосовые фильтры, имеющие полосу пропускания частоты более 0,5% от резонансной частоты; или б) заградительные фильтры, имеющие полосу подавления частоты менее 0,5% от резонансной частоты; 3.1.1.2.6. Микроволновые сборки, способные работать на 8542 70 000 0 частотах, превышающих 31 ГГц; 3.1.1.2.7. Смесители и преобразователи, разработанные для 8543 89 950 0 расширения частотного диапазона аппаратуры, указанной в пунктах 3.1.2.3, 3.1.2.5 или 3.1.2.6; 3.1.1.2.8. Микроволновые усилители мощности СВЧ, 8543 89 950 0 содержащие лампы, контролируемые по пункту 3.1.1.2, и имеющие все следующие характеристики: а) рабочие частоты свыше 3 ГГц; б) среднюю плотность выходной мощности, превышающую 80 Вт/кг; и в) объем менее 400 куб.см
Примечание.
По пункту 3.1.1.2.8 не контролируется аппаратура, разработанная или пригодная для работы на стандартных частотах, установленных Международным союзом электросвязи
3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и специально
спроектированные для них компоненты, такие, как:
3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных акустических волнах и 8541 60 000 0
на акустических волнах в тонкой подложке (т.е. приборы
для обработки сигналов, использующие упругие волны в
материале), имеющие любую из следующих характеристик:
а) несущую частоту более 2,5 ГГц; или
б) несущую частоту более 1 ГГц, но не превышающую 2,5
ГГц, и дополнительно имеющие любую из следующих
характеристик:
1) частотное подавление боковых лепестков диаграммы
направленности более 55 дБ;
2) произведение максимального времени задержки (в мкс) на
ширину полосы частот (в МГц) более 100;
3) ширину полосы частот более 250 МГц; или
4) задержку рассеяния, превышающую 10 мкс; или
в) несущую частоту от 1 ГГц и менее и дополнительно
имеющие любую из следующих характеристик:
1) произведение максимального времени задержки (в мкс) на
ширину полосы частот (в МГц) более 100;
2) задержку рассеяния, превышающую 10 мкс; или
3) частотное подавление боковых лепестков диаграммы
направленности более 55 дБ и ширину полосы частот,
превышающую 50 МГц;
3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических волнах (т.е. 8541 60 000 0
приборы для обработки сигналов, использующие упругие
волны в материале), обеспечивающие непосредственную
обработку сигналов на частотах свыше 1 ГГц;
3.1.1.3.3. Акустооптические приборы обработки сигналов, 8541 60 000 0
использующие взаимодействие между акустическими волнами
(объемными или поверхностными) и световыми волнами, что
позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или
изображения, включая анализ спектра, корреляцию или
свертку
3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, содержащие 8540;
компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, 8541;
специально спроектированные для работы при температурах 8542;
ниже критической температуры хотя бы одной из 8543
сверхпроводящих составляющих, имеющие хотя бы один из
следующих признаков:
а) токовые переключатели для цифровых схем, использующие
сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени
задержки на вентиль (в секундах) на рассеяние мощности на
вентиль (в ваттах) ниже 10(-14) Дж;
или
б) селекцию частоты на всех частотах с использованием
резонансных контуров с добротностью, превышающей 10000
3.1.1.5. Нижеперечисленные накопители энергии:
3.1.1.5.1. Батареи и батареи на фотоэлектрических 8506;
элементах, такие, как: 8507;
8541 40 900 0
а) первичные элементы и батареи с плотностью энергии
свыше 480 Вт х ч/кг и пригодные по техническим условиям
для работы в диапазоне температур от 243 К (-30°С) и ниже
до 343 К (70°С) и выше
Техническое примечание.
Плотность энергии определяется путем умножения средней мощности в ваттах (произведение среднего напряжения в вольтах на средний ток в амперах) на длительность цикла разряда в часах, при котором напряжение на разомкнутых клеммах падает до 75% от номинала, и деления полученного произведения на общую массу элемента (или батареи) в кг;
б) подзаряжаемые элементы и батареи с плотностью энергии свыше 150 Вт х ч/кг после 75 циклов заряда-разряда при токе разряда, равном С/5 ч (С - номинальная емкость в ампер-часах), при работе в диапазоне температур от 253 К (-20°С) и ниже до 333 К (60°С) и выше;
в) батареи, по техническим условиям годные для применения в космосе, и радиационно стойкие батареи на фотоэлектрических элементах с удельной мощностью свыше 160 Вт/кв.м при рабочей температуре 301 К (28°С) и вольфрамовом источнике, нагретом до 2800 К (2527°С) и создающем энергетическую освещенность 1 кВт/кв.м
Примечание.
По пункту 3.1.1.5.1 не контролируются батарей объемом 27 куб.см и меньше (например, стандартные угольные элементы или батареи типа R14);
3.1.1.5.2. Накопители большой энергии, такие, как: 8506;
8507;
8532
а) накопители с частотой повторения менее 10 Гц
(одноразовые накопители), имеющие все следующие
характеристики:
1) номинальное напряжение 5 кВ или более;
2) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и
3) общую энергию 25 кДж или более;
б) накопители с частотой повторения 10 Гц и более
(многоразовые накопители), имеющие все следующие
характеристики:
1) номинальное напряжение не менее 5 кВ;
2) плотность энергии не менее 50 Дж/кг;
3) общую энергию не менее 100 Дж; и
4) количество циклов заряда-разряда не менее 10000;
3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, 8505 19 900 0
специально спроектированные на полный заряд или разряд
менее чем за одну секунду, имеющие все нижеперечисленные
характеристики:
а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за
первую секунду;
б) внутренний диаметр токопроводящих обмоток более 250
мм; и
в) номинальную магнитную индукцию свыше 8 Т или суммарную
плотность тока в обмотке больше 300 А/кв.мм
Примечание.
По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются сверхпроводящие электромагниты или соленоиды, специально спроектированные для медицинской аппаратуры магниторезонансной томографии
3.1.1.6. Вращающиеся преобразователи абсолютного углового 9031 80 340 0 положения вала в код, имеющие любую из следующих характеристик: а) разрешение лучше 1/265000 от полного диапазона (18 бит); или б) точность лучше +-2,5 угл.с 3.1.2. Нижеперечисленная электронная аппаратура общего назначения: 3.1.2.1. Записывающая аппаратура и специально разработанная измерительная магнитная лента для нее, такие, как: 3.1.2.1.1. Накопители на магнитной ленте для аналоговой 8520 39 900 0; аппаратуры, включая аппаратуру с возможностью записи 8520 90 900 0; цифровых сигналов (например, использующие модуль цифровой 8521 10 300 0; записи высокой плотности), имеющие любую из следующих 8521 10 800 0 характеристик: а) полосу частот, превышающую 4 МГц на электронный канал или дорожку; б) полосу частот, превышающую 2 МГц на электронный канал или дорожку, при числе дорожек более 42; или в) ошибку рассогласования (основную) временной шкалы, измеренную по методикам соответствующих руководящих материалов Межведомственного совета по радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации электронной промышленности (EIA), менее +-0,1 мкс
Примечание.
Аналоговые видеомагнитофоны, специально разработанные для гражданского применения, не рассматриваются как записывающая аппаратура;
3.1.2.1.2. Цифровые видеомагнитофоны, имеющие 8521 10; максимальную пропускную способность цифрового интерфейса 8521 90 000 0 свыше 360 Мбит/с;
Примечание.
По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются цифровые видеомагнитофоны, специально спроектированные для телевизионной записи, использующие формат сигнала, который может включать сжатие формата сигнала, стандартизированный или рекомендуемый для применения в гражданском телевидении Международным союзом электросвязи, Международной электротехнической комиссией, Организацией инженеров по развитию кино и телевидения, Европейским союзом радиовещания или Институтом инженеров по электротехнике и радиоэлектронике;
3.1.2.1.3. Накопители на магнитной ленте для цифровой 8521 10 аппаратуры, использующие принципы спирального сканирования или принципы фиксированной головки и имеющие любую из следующих характеристик: а) максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или б) годные для применения в космосе
Примечание.
По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются аналоговые накопители на магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенные для записи только цифровых данных;
3.1.2.1.4. Аппаратура с максимальной пропускной 8521 90 000 0 способностью цифрового интерфейса свыше 175 Мбит/с, спроектированная в целях переделки цифровых видеомагнитофонов для использования их как устройств записи данных цифровой аппаратуры; 3.1.2.1.5. Приборы для преобразования сигналов в цифровую 8543 89 950 0 форму и записи переходных процессов, имеющие все следующие характеристики: а) скорость преобразования в цифровую форму не менее 200 млн. проб в секунду и разрешение 10 или более проб в секунду; и б) пропускную способность не менее 2 Гбит/с
Техническое примечание.
Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине пропускная способность есть произведение наибольшего объема слов на количество бит в слове. Пропускная способность - это наивысшая скорость передачи данных аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее устройство без потерь при сохранении скорости выборки и аналого-цифрового преобразования
3.1.2.2. Электронные сборки синтезаторов частоты, имеющие 8543 20 000 0
время переключения с одной заданной частоты на другую
менее 1 мс;
3.1.2.3. Анализаторы сигналов: 9030 83 900 0;
9030 89 920 0
а) способные анализировать частоты, превышающие 31 ГГц;
б) динамические анализаторы сигналов с полосой
пропускания в реальном времени, превышающей 25,6 кГц
Примечание.
По подпункту "б" пункта 3.1.2.3 не контролируются динамические анализаторы сигналов, использующие только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно-октавные фильтры)
3.1.2.4. Генераторы сигналов синтезированных частот, 8543 20 000 0 формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильности на основе или с помощью внутренней эталонной частоты, имеющие любую из следующих характеристик: а) максимальную синтезируемую частоту более 31 ГГц; б) время переключения с одной заданной частоты на другую менее 1 мс; или в) фазовый шум одной боковой полосы лучше -(126+20 lgF - 20 lgf) в единицах дБ х с/Гц, где F - смещение рабочей частоты в Гц, a f - рабочая частота в МГц
Примечание.
По пункту 3.1.2.4 не контролируется аппаратура, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты;
3.1.2.5. Сетевые анализаторы с максимальной рабочей 9030 40 900 0 частотой, превышающей 40 ГГц; 3.1.2.6. Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все 8527 90 980 0 следующие характеристики: а) максимальную рабочую частоту, превышающую 40 ГГц; и б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу; 3.1.2.7. Атомные эталоны частоты, имеющие любую из 8543 20 000 0 следующих характеристик: а) долговременную стабильность (старение) менее (лучше) 10(-11) в месяц; или б) годные для применения в космосе
Примечание.
По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не контролируются рубидиевые стандарты, не предназначенные для космического применения
3.2. Испытательное, контрольное и производственное
оборудование
3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для производства
полупроводниковых приборов или материалов и специально
разработанные компоненты и оснастка для них:
3.2.1.1. Установки, управляемые встроенной программой,
предназначенные для эпитаксиального выращивания, такие,
как:
3.2.1.1.1. Установки, способные выдерживать толщину слоя 8479 89 650 0
с отклонением не более +-2,5% на протяжении 75 мм или
более;
3.2.1.1.2. Установки химического осаждения паров 8419 89 200 0
металлорганических соединений, специально разработанные
для выращивания кристаллов сложных полупроводников с
помощью химических реакций между материалами, которые
контролируются по пункту 3.3.3 или 3.3.4;
3.2.1.1.3. Молекулярно-лучевые установки эпитаксиального 8479 89 700 0;
выращивания, использующие газовые или твердые источники 8543 89 650 0
3.2.1.2. Установки, управляемые встроенной программой, 8543 11 000 0
специально предназначенные для ионной имплантации,
имеющие любую из следующих характеристик:
а) энергию излучения (ускоряющее напряжение) свыше 1 МэВ;
б) специально спроектированные и оптимизированные для
работы с энергией излучения (ускоряющим напряжением) ниже
2 кэВ;
в) обладающие способностью непосредственной записи; или
г) пригодные для высокоэнергетической имплантации
кислорода в нагретую подложку полупроводникового
материала;
3.2.1.3. Установки сухого травления анизотропной плазмой, 8456 91 000 0;
управляемые встроенной программой: 8456 99 800 0
а) с покассетной обработкой пластин и загрузкой через
загрузочные шлюзы, имеющие любую из следующих
характеристик:
1) магнитную защиту; или
2) электронный циклотронный резонанс
б) специально спроектированные для оборудования,
контролируемого по пункту 3.2.1.5, и имеющие любую из
следующих характеристик:
1) магнитную защиту; или
2) электронный циклотронный резонанс;
3.2.1.4. Установки химического парофазового осаждения и 8419 89 200 0;
плазменной стимуляции, управляемые встроенной программой: 8419 89 300 0
а) с покассетной обработкой пластин и загрузкой через
загрузочные шлюзы, имеющие любую из следующих
характеристик:
1) магнитную защиту; или
2) электронный циклотронный резонанс
б) специально спроектированные для оборудования,
контролируемого по пункту 3.2.1.5, имеющие любую из
следующих характеристик:
1) магнитную защиту; или
2) электронный циклотронный резонанс;
3.2.1.5. Управляемые встроенной программой автоматически 8456 10;
загружаемые многокамерные системы с центральной загрузкой 8456 91 000 0;
пластин, имеющие все следующие составляющие: 8456 99 800 0;
8456 99 300 0;
8479 50 000 0
а) интерфейсы для загрузки и выгрузки пластин, к которым
присоединяется более двух единиц оборудования для
обработки полупроводников; и
б) предназначенные для интегрированной системы
последовательной многопозиционной обработки пластин в
вакуумной среде
Примечание.
По пункту 3.2.1.5 не контролируются автоматические робототехнические системы загрузки пластин, не предназначенные для работы в вакууме
3.2.1.6. Установки литографии, управляемые встроенной программой, такие, как: 3.2.1.6.1. Установки многократного совмещения и 9009 22 000 0 экспонирования (прямого последовательного шагового экспонирования) или шагового сканирования (сканеры) для обработки пластин методом фотооптической или рентгеновской литографии, имеющие любую из следующих составляющих: а) источник света с длиной волны короче 350 нм; или б) способность воспроизводить рисунок с минимальным размером разрешения от 0,5 мкм и менее
Техническое примечание.
Минимальный размер разрешения (МРР) рассчитывается по следующей формуле:
(экспозиция источника освещения с длиной волны в мкм) х (К фактор)
МРР = ------------------------------------------------------------------
цифровая апертура
где К фактор = 0,7;
3.2.1.6.2. Установки, специально спроектированные для 8456 10; производства шаблонов или обработки полупроводниковых 8456 99 приборов с использованием отклоняемого фокусируемого электронного луча, пучка ионов или лазерного луча, имеющие любую из следующих характеристик: а) размер пятна менее 0,2 мкм; б) способность производить рисунок с минимальными разрешенными проектными нормами менее 1 мкм; или в) точность совмещения лучше +-0,20 мкм (3 сигма) 3.2.1.7. Шаблоны или промежуточные фотошаблоны, разработанные для интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1; 3.2.1.8. Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем 9010 90 3.2.2. Аппаратура испытаний, управляемая встроенной программой, специально спроектированная для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально спроектированные компоненты и приспособления для нее: 3.2.2.1. Для измерения S-параметров транзисторных 9031 80 390 0 приборов на частотах свыше 31 ГГц; 3.2.2.2. Для испытаний интегральных схем, способная 9031 80 390 0 выполнять функциональное тестирование (по таблицам истинности) с частотой тестирования строк более 333 МГц
Примечание.
По пункту 3.2.2.2 не контролируется аппаратура испытаний, специально спроектированная для испытаний:
а) электронных сборок или класса электронных сборок для бытовой или игровой электронной аппаратуры;
б) неконтролируемых электронных компонентов, электронных сборок или интегральных схем.
Техническое примечание.
Для целей этого пункта оценочной характеристикой является максимальная частота цифрового режима работы тестера, поэтому она является эквивалентом наивысшему значению оценки, которое может обеспечить тестер во внемультиплексном режиме. Она также относится к скорости испытания, максимальной цифровой частоте или к максимальной цифровой скорости.
3.2.2.3. Для испытания микроволновых интегральных схем, 9031 20 000 0
контролируемых по пункту 3.1.1.2.2; 9031 80 390 0
3.3. Материалы
3.3.1. Гетероэпитаксиальные материалы, состоящие из
подложки с несколькими последовательно наращенными
эпитаксиальными слоями, имеющими любую из следующих
составляющих:
3.3.1.1. Кремний; 3818 00 100 0;
3818 00 900 0
3.3.1.2. Германий; или 3818 00 900 0
3.3.1.3. Соединения III/V на основе галлия или индия 3818 00 900 0
Техническое примечание.
Соединения III/V - это поликристаллические или двухэлементные или сложные монокристаллические продукты, состоящие из элементов групп IIIA и VA периодической системы Менделеева (по отечественной классификации это группы A3 и В5) (арсенид галлия, алюмоарсенид галлия, фосфид индия и т.п.)
3.3.2. Материалы резистов и подложки, покрытые контролируемыми резистами, такие, как: 3.3.2.1. Позитивные резисты, предназначенные для 3824 90 990 0 полупроводниковой литографии, специально приспособленные (оптимизированные) для использования на спектральную чувствительность менее 350 нм; 3.3.2.2. Все резисты, предназначенные для использования 3824 90 990 0 при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/кв.мм или лучше; 3.3.2.3. Все резисты, предназначенные для использования 3824 90 990 0 при экспонировании рентгеновскими лучами, с чувствительностью 2,5 мДж/кв.мм или лучше; 3.3.2.4. Все резисты, оптимизированные под технологии 3824 90 990 0 формирования рисунка, включая силицированные резисты
Техническое примечание.
Методы силицирования - это процессы, включающие оксидирование поверхности резиста, для повышения качества мокрого и сухого проявления
3.3.3. Органо-неорганические компаунды, такие, как: 3.3.3.1. Органо-металлические соединения на основе 2931 00 950 0 алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы свыше 99,999%; 3.3.3.2. Органо-мышьяковистые, органо-сурьмянистые и 2931 00 950 0 органо-фосфорные соединения с чистотой органической элементной основы свыше 99,999%
Примечание.
По пункту 3.3.3 контролируются только соединения, чей металлический, частично металлический или неметаллический элемент непосредственно связан с углеродом в органической части молекулы
3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие 2848 00 000 0; чистоту свыше 99,999% даже после растворения в инертных 2850 00 200 0 газах или водороде
Примечание.
По пункту 3.3.4 не контролируются гидриды, содержащие 20% и более молей инертных газов или водорода
3.4. Программное обеспечение 3.4.1. Программное обеспечение, специально созданное для: разработки или производства оборудования, контролируемого по пунктам 3.1.1.2-3.1.2.7 или по пункту 3.2 3.4.2. Программное обеспечение, специально созданное для применения в оборудовании, управляемом встроенной программой и контролируемом по пункту 3.2 3.4.3. Программное обеспечение систем автоматизированного проектирования (САПР), предназначенное для полупроводниковых приборов или интегральных схем, имеющее любую из следующих составляющих: 3.4.3.1. Правила проектирования или правила проверки (верификации) схем; 3.4.3.2. Моделирование схем по их физической топологии; или 3.4.3.3. Имитаторы литографических процессов для проектирования
Техническое примечание.
Имитатор литографических процессов - это пакет программного обеспечения, используемый на этапе проектирования для определения последовательности операций литографии, травления и осаждения в целях воплощения маскирующих шаблонов в конкретные топологические рисунки проводников, диэлектриков или полупроводникового материала
Примечания:
1. По пункту 3.4.3 не контролируется программное обеспечение, специально созданное для описания принципиальных схем, логического моделирования, раскладки и маршрутизации (трассировки), проверки топологии или размножения шаблонов
2. Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология.
3.5. Технология 3.5.1. Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пунктам 3.1, 3.2 или 3.3
Примечание.
По пункту 3.5.1 и подпункту "ж" пункта 3.5.2 не контролируются технологии разработки или производства:
а) микроволновых транзисторов, работающих на частотах ниже 31 ГГц;
б) интегральных схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3-3.1.1.1.12, имеющих оба нижеперечисленных признака:
1) использующие проектные нормы 0,7 мкм или выше; и
2) не содержащие многослойных структур.
Техническое примечание.
Термин "многослойные структуры" в подпункте 2 пункта "б" примечания не включает приборы, содержащие максимум два металлических слоя и два слоя поликремния.
3.5.2. Прочие технологии для разработки или производства: а) вакуумных микроэлектронных приборов; б) полупроводниковых приборов на гетероструктурах, таких как транзисторы с высокой подвижностью электронов, биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках; в) сверхпроводящих электронных приборов; г) подложек пленок алмаза для электронных компонентов; д) подложек из структур кремния на диэлектрике (КНД-структур) для интегральных схем с диэлектриком из
Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 | Стр.26 | Стр.27 | Стр.28 | Стр.29 | Стр.30 | Стр.31 | Стр.32 | Стр.33 | Стр.34 | Стр.35 | Стр.36 | Стр.37 | Стр.38 | Стр.39 | Стр.40 | Стр.41 | Стр.42 | Стр.43
